г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC670N25NSFDATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC670N25NSFDATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1, N-Channel 250 V 24A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
598 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC670N25NSFDATMA1.jpg
Other Names
BSC670N25NSFDATMA1DKR,BSC670N25NSFDATMA1TR,BSC670N25NSFDATMA1CT,BSC670N25NSFDATMA1-ND,SP001107234
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 125 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
BSC670
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP20N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: SPN04N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 800MA SOT223-4, N-Channel 600 V 800mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IGW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFL4315
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223, N-Channel 150 V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: BUZ31HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3, N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRF6802SDTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 16A SA, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 16A 1.7W Surface Mount DIRECTFET™ SA
Подробнее