г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC670N25NSFDATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC670N25NSFDATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1, N-Channel 250 V 24A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
598 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC670N25NSFDATMA1.jpg
Other Names
BSC670N25NSFDATMA1DKR,BSC670N25NSFDATMA1TR,BSC670N25NSFDATMA1CT,BSC670N25NSFDATMA1-ND,SP001107234
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 125 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
BSC670
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC040N10NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON, N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IGW40T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 75 A 270 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPP60R520C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRF9332PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO, P-Channel 30 V 9.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGR4045DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 12A 77W DPAK, IGBT Trench 600 V 12 A 77 W Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRLML6402GTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23, P-Channel 20 V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее