г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC670N25NSFDATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC670N25NSFDATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1, N-Channel 250 V 24A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
598 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC670N25NSFDATMA1.jpg
Other Names
BSC670N25NSFDATMA1DKR,BSC670N25NSFDATMA1TR,BSC670N25NSFDATMA1CT,BSC670N25NSFDATMA1-ND,SP001107234
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 125 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
BSC670
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP200N25N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3, N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRGP20B120UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 40 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRFH5304TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN, N-Channel 30 V 22A (Ta), 79A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IKW50N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IPD060N03LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRGP4066DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 140A TO247AC, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AC
Подробнее