г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD214SNH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSD214SNH6327XTSA1.jpg
Other Names
INFINFBSD214SNH6327XTSA1,BSD214SN H6327-ND,2156-BSD214SNH6327XTSA1,SP000917656,BSD214SN H6327
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
143 pF @ 10 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Base Product Number
BSD214
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±12V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP4110PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC, N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7207
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO, P-Channel 20 V 5.4A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IDH16G65C5XKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTKY 650V 16A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IRGS4065PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 300V 70A 178W D2PAK, IGBT Trench 300 V 70 A 178 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFR7440PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 40V 90A DPAK, N-Channel 40 V 90A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRF7309Q
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее