г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD223PH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6-1
Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSD223PH6327XTSA1.jpg
Base Product Number
BSD223
Other Names
BSD223P H6327-ND,BSD223PH6327XTSA1-ND,BSD223P H6327,BSD223PH6327XTSA1TR,SP000924074,BSD223PH6327XTSA1DKR,BSD223PH6327XTSA1CT
Power - Max
250mW
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
390mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1.5µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
56pF @ 15V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP4868PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR108E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFR5410TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPI80CN10NG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IRG7PH50K10DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 400W TO247AC, IGBT - 1200 V 90 A 400 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF4104
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее