г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD235NH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
72 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSD235NH6327XTSA1.jpg
Base Product Number
BSD235
Other Names
BSD235N H6327CT-ND,BSD235N H6327CT,BSD235NH6327XTSA1DKR,BSD235N H6327TR-ND,BSD235N H6327DKR-ND,SP000917652,BSD235N H6327DKR,BSD235NH6327XTSA1CT,BSD235NH6327XTSA1TR,BSD235N H6327-ND,BSD235N H6327,BSD235NH6327
Power - Max
500mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1.6µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.32nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
63pF @ 10V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC30FDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IGW15T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU, IGBT
Подробнее
Артикул: FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module Trench 2 Independent 1200 V 50 A 0.2 W Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Подробнее
Артикул: IRFSL7437PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: DF200R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 1040W, IGBT Module - Single 1200 V 1040 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSS138NH6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее