г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUT300N10S5N015ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF, N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Цена
1 338 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUT300N10S5N015ATMA1.jpg
Other Names
IAUT300N10S5N015ATMA1TR,IAUT300N10S5N015CT,IAUT300N10S5N015,IAUT300N10S5N015ATMA1DKR,SP001416130,IAUT300N10S5N015DKR,IAUT300N10S5N015ATMA1-ND,IAUT300N10S5N015TR-ND,IAUT300N10S5N015DKR-ND,IAUT300N10S5N015TR,IAUT300N10S5N015ATMA1CT,IAUT300N10S5N015CT-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16011 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
IAUT300
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™-5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerSFN
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH05G120C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IRG4PH30KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFR9120NTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFS4310ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: FZ1000R33HE3BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 3300V 1000A, IGBT Module Trench Field Stop Single Switch 3300 V 1000 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFZ44ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее