г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD840NH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
90 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSD840NH6327XTSA1.jpg
Base Product Number
BSD840
Other Names
BSD840N H6327CT,BSD840NH6327,BSD840N H6327TR-ND,BSD840N H6327CT-ND,BSD840NH6327XTSA1DKR,BSD840NH6327XTSA1CT,BSD840N H6327DKR,SP000917654,BSD840N H6327-ND,BSD840NH6327XT,BSD840N H6327DKR-ND,BSD840N H6327,BSD840NH6327XTSA1TR
Power - Max
500mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 880mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 1.6µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.26nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 10V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD95R1K2P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3, N-Channel 950 V 6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IGCM04F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 4A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: FF450R08A03P2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE, Power Driver Module IGBT Half Bridge 750 V 450 A Module
Подробнее
Артикул: IRLR3636PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK, N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRLZ44NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB, N-Channel 55 V 47A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR512E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее