BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies
Артикул
BSG0810NDIATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Цена
525 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSG0810NDIATMA1.jpg
Base Product Number
BSG0810
Other Names
BSG0810NDIATMA1-ND,448-BSG0810NDIATMA1TR,SP001241674,448-BSG0810NDIATMA1CT,448-BSG0810NDIATMA1DKR
Power - Max
2.5W
FET Type
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1040pF @ 12V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 155°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TISON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут