г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSL207SP Infineon Technologies

Артикул
BSL207SP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6, P-Channel 20 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6
Цена
86 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSL207SP.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1007 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Other Names
BSL207SPINTR,BSL207SPINCT
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
PG-TSOP6-6
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±12V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IPB033N10N5LFATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3, N-Channel 100 V 120A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: BUZ80A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB, N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IHW40N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IKQ120N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 160A TO247-3-46, IGBT Trench Field Stop 600 V 160 A 833 W Through Hole PG-TO247-3-46
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30S-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 34A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 34 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее