г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM100GB120DN2K Infineon Technologies

Артикул
BSM100GB120DN2K
Бренд
Infineon Technologies
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Цена
15 098 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BSM100GB120DN2K,INFINFBSM100GB120DN2K
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7853TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO, N-Channel 100 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF5806
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6, P-Channel 20 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRLR3715Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 49A DPAK, N-Channel 20 V 49A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IHW30N160R2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IKP15N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 30A 130W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 30 A 130 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRGP4063-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 96A 330W TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Подробнее

Ваша заявка принята