г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4768PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4768PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC, N-Channel 250 V 93A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 266 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4768PBF.jpg
Other Names
SP001571028
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10880 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFP4768
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP4063DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 96A TO247AC, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF300P226
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC, N-Channel 300 V 100A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFR3410TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK, N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BC807-25
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IPN50R3K0CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: BAR64-03W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAR64 - PIN DIODE, RF Diode
Подробнее