г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM100GD120DLCBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
41 167 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM100GD120DLCBOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRF2907Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB, N-Channel 75 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON, N-Channel 40 V 40A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRF150P221AKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3, N-Channel 150 V 186A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRGP20B120UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 40 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IDP30E60XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220, Diode Standard 600 V 52.3A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRFB4228PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB, N-Channel 150 V 83A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее