г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GP120BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
29 348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM50GP120BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7210TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPD082N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF7854TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO, N-Channel 80 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRAM136-1060BS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 5A MOTOR, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3, N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPA80R650CEXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F, N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Подробнее

Ваша заявка принята