г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GP120BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
29 348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM50GP120BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM35GD120DN2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 50A 280W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 50 A 280 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL3102
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB, N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPP65R190CFDXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3, N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFU3910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: AIMW120R035M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRGP4068DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 96A TO247AC, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AC
Подробнее

Ваша заявка принята