г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GP120BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
29 348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM50GP120BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLL2703
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223, N-Channel 30 V 3.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: SPB10N10L G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3, N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRF7832TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO, N-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFP4229PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC, N-Channel 250 V 44A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPP20N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3, N-Channel 650 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее

Ваша заявка принята