г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GP120BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
29 348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM50GP120BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW40N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRF3205STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF1310NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAR6405E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRG4BC20FD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее