г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GP120BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
29 348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM50GP120BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLL2705PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223, N-Channel 55 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRFH7084TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN, N-Channel 40 V 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRG4BC30W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL1404S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK, N-Channel 40 V 160A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPA60R800CEXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP, N-Channel 600 V 5.6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее

Ваша заявка принята