г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GP120BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
29 348 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM50GP120BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9Z34NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK, P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AUIRF4905STRL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: BSC0902NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON, N-Channel 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRLI2910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP, N-Channel 100 V 31A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRL60B216
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SGB10N60AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 20A 92W TO263-3, IGBT NPT 600 V 20 A 92 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее

Ваша заявка принята