г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30W Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC30W.jpg
Other Names
*IRG4BC30W
Test Condition
480V, 12A, 23Ohm, 15V
Power - Max
100 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
92 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Switching Energy
130µJ (on), 130µJ (off)
Gate Charge
51 nC
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
25ns/99ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TD320N16SOFHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: THYRISTOR MODULE 1600V 320A, SCR Module 1.6 kV 520 A Series Connection - SCR/Diode Surface Mount Module
Подробнее
Артикул: IPN60R3K4CEATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223, N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Подробнее
Артикул: AUIRLS4030-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRF6641TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET, N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module Trench 2 Independent 1200 V 50 A 0.2 W Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Подробнее
Артикул: IRF6644
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET, N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее