г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSP129H6906XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSP129H6906XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Цена
205 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSP129H6906XTSA1.jpg
Other Names
2156-BSP129H6906XTSA1,ROCINFBSP129H6906XTSA1,SP001058586,BSP129H6906XTSA1TR,BSP129H6906XTSA1DKR,BSP129H6906XTSA1-ND,BSP129H6906XTSA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
240 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
108 pF @ 25 V
FET Feature
Depletion Mode
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Base Product Number
BSP129
Mounting Type
Surface Mount
Series
SIPMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Артикул: BSP129H6906XTSA1
Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BC847AE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRAM136-1060B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 10A 600V ADV SIP05, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPP034NE7N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3, N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BCR119S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: AUIRFSL4115
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 99A TO262, N-Channel 150 V 99A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRFP2907PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC, N-Channel 75 V 209A (Tc) 470W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее