г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IGB20N60H3ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH/FS 600V 40A D2PAK, IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 170 W Surface Mount PG-TO263-3
Цена
218 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGB20N60H3ATMA1.jpg
Other Names
IGB20N60H3DKR-ND,IFEINFIGB20N60H3ATMA1,IGB20N60H3ATMA1DKR,IGB20N60H3ATMA1TR,SP000852232,2156-IGB20N60H3ATMA1,IGB20N60H3CT,IGB20N60H3,IGB20N60H3ATMA1-ND,IGB20N60H3TR-ND,IGB20N60H3DKR,IGB20N60H3ATMA1CT,IGB20N60H3-ND,IGB20N60H3CT-ND
Test Condition
400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Power - Max
170 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Switching Energy
690µJ
Gate Charge
120 nC
Base Product Number
IGB20N60
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
TrenchStop®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
16ns/194ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP460PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC, N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRF7319QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: SPA11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP, N-Channel 800 V 11A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IRF5810TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: BSS84PWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3, P-Channel 60 V 150mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее