г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IGB20N60H3ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH/FS 600V 40A D2PAK, IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 170 W Surface Mount PG-TO263-3
Цена
218 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGB20N60H3ATMA1.jpg
Other Names
IGB20N60H3DKR-ND,IFEINFIGB20N60H3ATMA1,IGB20N60H3ATMA1DKR,IGB20N60H3ATMA1TR,SP000852232,2156-IGB20N60H3ATMA1,IGB20N60H3CT,IGB20N60H3,IGB20N60H3ATMA1-ND,IGB20N60H3TR-ND,IGB20N60H3DKR,IGB20N60H3ATMA1CT,IGB20N60H3-ND,IGB20N60H3CT-ND
Test Condition
400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Power - Max
170 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Switching Energy
690µJ
Gate Charge
120 nC
Base Product Number
IGB20N60
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
TrenchStop®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
16ns/194ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP054N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC, N-Channel 55 V 81A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BFR93AE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 90mA 6GHz 300mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BFP410H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343, RF Transistor NPN 5V 40mA 25GHz 150mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Подробнее
Артикул: IRFP3710PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC, N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SDT04S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRF6713STRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET, N-Channel 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Подробнее