г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSS139H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3, N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Цена
90 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSS139H6327XTSA1.jpg
Other Names
BSS139 H6327TR-ND,BSS139H6327,BSS139H6327XTSA1TR,BSS139 H6327CT-ND,BSS139 H6327-ND,SP000702610,BSS139H6327XTSA1DKR,BSS139H6327XTSA1CT,BSS139 H6327DKR,BSS139 H6327CT,BSS139 H6327,BSS139 H6327DKR-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14Ohm @ 100µA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 56µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
76 pF @ 25 V
FET Feature
Depletion Mode
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Base Product Number
BSS139
Mounting Type
Surface Mount
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT1504WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA 100 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: IKW40N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRG8P08N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC, IGBT - 1200 V 15 A 89 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7451PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO, N-Channel 150 V 3.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF8252TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 25A 8SO, N-Channel 25 V 25A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF8910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее