г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSS214NWH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Цена
86 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSS214NWH6327XTSA1.jpg
Other Names
BSS214NWH6327XTSA1TR,SP000917560,BSS214NWH6327XTSA1DKR,BSS214NWH6327XTSA1-ND,BSS214NWH6327XTSA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
143 pF @ 10 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Base Product Number
BSS214
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±12V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP65R660CFDAAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IDH05G120C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IPP60R180C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPP60R180 - 13A, 600V, N-CHANEL, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IKW30N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 187W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF1104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB, N-Channel 40 V 100A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFS7434TRL7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7, N-Channel 40 V 240A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Подробнее