г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSS225 Infineon Technologies

Артикул
BSS225
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89, N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Цена
2 165 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSS225.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
131 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Other Names
BSS225T,SP000017502
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Supplier Device Package
PG-SOT89
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFU3910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BCX41E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 125 V 800 mA 100MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSC12DN20NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON, N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: SPP17N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3, N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: AUIRF3415
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB, N-Channel 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR148WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее