г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSS308PEH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3, P-Channel 30 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSS308PEH6327XTSA1.jpg
Other Names
BSS308PEH6327,BSS308PE H6327CT-ND,BSS308PE H6327TR-ND,BSS308PE H6327-ND,BSS308PE H6327CT,BSS308PEH6327XTSA1TR,SP000928942,BSS308PE H6327DKR-ND,BSS308PE H6327,BSS308PE H6327DKR,BSS308PEH6327XTSA1CT,BSS308PEH6327XTSA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSS308
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPI80CN10N G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: BUZ111S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IKW75N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3, IGBT Trench 650 V 90 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF8910TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 85A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее