г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Цена
12 649 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Base Product Number
BSM10GD120
Standard Package
10
HTSUS
0000.00.0000
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Not For New Designs
Package
Tray
Other Names
BSM10GD120DN2,SP000100367

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB4020PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7389PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFH7914TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56, N-Channel 30 V 15A (Ta), 35A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRFR3709Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, N-Channel 30 V 86A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFP064NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF9910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее