г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Цена
12 649 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Base Product Number
BSM10GD120
Standard Package
10
HTSUS
0000.00.0000
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Not For New Designs
Package
Tray
Other Names
BSM10GD120DN2,SP000100367

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA075N15N3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BBY51-03W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
Подробнее
Артикул: IRF7726TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8, P-Channel 30 V 7A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IRLU8259PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 57A IPAK, N-Channel 25 V 57A (Tc) 48W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: IRGSL4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO262, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Подробнее