г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Цена
12 649 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Base Product Number
BSM10GD120
Standard Package
10
HTSUS
0000.00.0000
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Not For New Designs
Package
Tray
Other Names
BSM10GD120DN2,SP000100367

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPW12N50C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: SDB20S30
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 300 V 10A (DC) Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: IRF6150
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.9A 3W Surface Mount 16-FlipFet™
Подробнее
Артикул: IRF6215L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A TO262, P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: SPD18P06PGBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3, P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF7811A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO, N-Channel 28 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее