г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSS83PH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3, P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Цена
98 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSS83PH6327XTSA1.jpg
Other Names
BSS83P H6327CT,BSS83PH6327XTSA1DKR,BSS83PH6327XTSA1TR,SP000702486,BSS83P H6327TR-ND,BSS83P H6327DKR,BSS83P H6327DKR-ND,BSS83P H6327,BSS83P H6327CT-ND,BSS83PH6327XTSA1CT,BSS83P H6327-ND,BSS83PH6327
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
78 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSS83PH6327
Mounting Type
Surface Mount
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BCR166W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IKW30N65EL5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3, IGBT - 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BSP300H6327XUSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4, N-Channel 800 V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: BGX50AE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BRIDGE RECT 1P 70V 140MA SOT143, Bridge Rectifier Single Phase Standard 70 V Surface Mount PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: IRF7301PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее