г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ040N06LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
320 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ040N06LS5ATMA1.jpg
Other Names
448-BSZ040N06LS5ATMA1TR,BSZ040N06LS5ATMA1-ND,2156-BSZ040N06LS5ATMA1,SP001385578,448-BSZ040N06LS5ATMA1CT,448-BSZ040N06LS5ATMA1DKR,ROCINFBSZ040N06LS5ATMA1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 30 V
FET Feature
Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSZ040
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRF3805
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A TO220, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRGP4262DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 60A 250W TO247AC, IGBT - 650 V 60 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BC-848-B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: SPB20N60C3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3, N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IPI50R140CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3, N-Channel 550 V 23A (Tc) 192W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module
Подробнее