г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ0506NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ0506NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON, N-Channel 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
183 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ0506NSATMA1.jpg
Other Names
BSZ0506NSATMA1CT,SP001281636,BSZ0506NSATMA1-ND,BSZ0506NSATMA1TR,BSZ0506NSATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 27W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSZ0506
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD060N03LGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: FF450R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCR108SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IPD70R900P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3, N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF8010PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB, N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW65R041CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 650V FET COOLMOS TO247, N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее