г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ0506NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ0506NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON, N-Channel 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
183 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ0506NSATMA1.jpg
Other Names
BSZ0506NSATMA1CT,SP001281636,BSZ0506NSATMA1-ND,BSZ0506NSATMA1TR,BSZ0506NSATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 27W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSZ0506
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPA11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP, N-Channel 800 V 11A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IRF8252TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 25A 8SO, N-Channel 25 V 25A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAT1504WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA 100 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: BCR583E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRFB4127PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB, N-Channel 200 V 76A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSS84PH6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3, P-Channel 60 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее