г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ063N04LS6ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON, N-Channel 40 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ063N04LS6ATMA1.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 20 V
FET Feature
-
Base Product Number
BSZ063
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
OptiMOS™ 6
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSZ063N04LS6ATMA1DKR,448-BSZ063N04LS6ATMA1TR,SP001687058,448-BSZ063N04LS6ATMA1CT
Standard Package
5,000
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 38W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF450
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AA, N-Channel 500 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: IRFB4620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB, N-Channel 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW40T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 75 A 270 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPP032N06N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BUZ100S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFP4668PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC, N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее