г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ063N04LS6ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON, N-Channel 40 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ063N04LS6ATMA1.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 20 V
FET Feature
-
Base Product Number
BSZ063
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
OptiMOS™ 6
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSZ063N04LS6ATMA1DKR,448-BSZ063N04LS6ATMA1TR,SP001687058,448-BSZ063N04LS6ATMA1CT
Standard Package
5,000
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 38W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF8910TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRL3803PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB, N-Channel 30 V 140A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT1504RE6152HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSS192PH6327FTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89, P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IPB020N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPW60R125P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
Подробнее