г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCW61CE6327 Infineon Technologies

Артикул
BCW61CE6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BCW61CE6327.jpg
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Supplier Device Package
PG-SOT23
Power - Max
330 mW
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 2mA, 5V
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
IFEINFBCW61CE6327,2156-BCW61CE6327
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Frequency - Transition
250MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPAW60R180P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220, N-Channel 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Подробнее
Артикул: IRFS4127TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK, N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SGP20N60HS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 36A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 36 A 178 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BAS116E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Diode Standard 80 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: SI4420DY
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO, N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее