г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ065N06LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
241 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ065N06LS5ATMA1.jpg
Other Names
SP001385612,BSZ065N06LS5ATMA1-ND,448-BSZ065N06LS5ATMA1CT,448-BSZ065N06LS5ATMA1TR,448-BSZ065N06LS5ATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
46W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 30 V
FET Feature
Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSZ065
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGS4607DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 58W D2PAK, IGBT - 600 V 11 A 58 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDW20G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 1.2KV 20A RAPID2 TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 31A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRFP1405PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC, N-Channel 55 V 95A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7834
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO, N-Channel 30 V 19A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKA15N65ET6XKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 17A TO220-3FP, IGBT Trench Field Stop 650 V 17 A 45 W Through Hole PG-TO220-3-FP
Подробнее
Артикул: IRF7204PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее