г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ065N06LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
241 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ065N06LS5ATMA1.jpg
Other Names
SP001385612,BSZ065N06LS5ATMA1-ND,448-BSZ065N06LS5ATMA1CT,448-BSZ065N06LS5ATMA1TR,448-BSZ065N06LS5ATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
46W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 30 V
FET Feature
Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSZ065
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF630NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB, N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPD03N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 55A 210W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 55 A 210 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFB4127PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB, N-Channel 200 V 76A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLR8113PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK, N-Channel 30 V 94A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRGP35B60PD-E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 308W TO247AD, IGBT NPT 600 V 60 A 308 W Through Hole TO-247AD
Подробнее