г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ068N06NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
215 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ068N06NSATMA1.jpg
Other Names
BSZ068N06NSATMA1-ND,IFEINFBSZ068N06NSATMA1,BSZ068N06NSATMA1CT,2156-BSZ068N06NSATMA1,SP001067002,BSZ068N06NSATMA1TR,BSZ068N06NSATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 46W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ068
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW50N65F5FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3, IGBT - 650 V 80 A 305 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPD60N10S412ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3, N-Channel 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRLL014NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223, N-Channel 55 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRF7413PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7450TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO, N-Channel 200 V 2.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: AUIRF3805S-7TRL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее