г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ068N06NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
215 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ068N06NSATMA1.jpg
Other Names
BSZ068N06NSATMA1-ND,IFEINFBSZ068N06NSATMA1,BSZ068N06NSATMA1CT,2156-BSZ068N06NSATMA1,SP001067002,BSZ068N06NSATMA1TR,BSZ068N06NSATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 46W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ068
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT165
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAT165 - RECTIFIER DIODE, SCHOTT, Diode Schottky 40 V 750mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: BSM150GT120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V, IGBT Module
Подробнее
Артикул: BC858BW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF2204PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB, N-Channel 40 V 210A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPA95R750P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 9A TO220, N-Channel 950 V 9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее