г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ215CHXTMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ215CHXTMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
262 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSZ215CHXTMA1.jpg
Base Product Number
BSZ215
Other Names
448-BSZ215CHXTMA1DKR,BSZ215CHXTMA1-ND,INFINFBSZ215CHXTMA1,SP001277210,2156-BSZ215CHXTMA1,448-BSZ215CHXTMA1TR,448-BSZ215CHXTMA1CT
Power - Max
2.5W
FET Type
N and P-Channel Complementary
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
419pF @ 10V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate, 2.5V Drive

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR014NTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK, N-Channel 55 V 10A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFB17N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB, N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW60R190E6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7410GTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IDH05G120C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: BFR181WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3, RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount SOT-323
Подробнее