г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ215CHXTMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ215CHXTMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
262 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSZ215CHXTMA1.jpg
Base Product Number
BSZ215
Other Names
448-BSZ215CHXTMA1DKR,BSZ215CHXTMA1-ND,INFINFBSZ215CHXTMA1,SP001277210,2156-BSZ215CHXTMA1,448-BSZ215CHXTMA1TR,448-BSZ215CHXTMA1CT
Power - Max
2.5W
FET Type
N and P-Channel Complementary
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
419pF @ 10V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate, 2.5V Drive

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC50WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFR24N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 24A DPAK, N-Channel 150 V 24A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPA80R280P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F, N-Channel 800 V 17A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: FS10R06VL4_B2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IDP15E65D2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 650V 15A TO220, Diode Standard 650 V 15A Through Hole TO-220
Подробнее