г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ215CHXTMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ215CHXTMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
262 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSZ215CHXTMA1.jpg
Base Product Number
BSZ215
Other Names
448-BSZ215CHXTMA1DKR,BSZ215CHXTMA1-ND,INFINFBSZ215CHXTMA1,SP001277210,2156-BSZ215CHXTMA1,448-BSZ215CHXTMA1TR,448-BSZ215CHXTMA1CT
Power - Max
2.5W
FET Type
N and P-Channel Complementary
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
419pF @ 10V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate, 2.5V Drive

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BBY5503WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE TUNING 16V 20MA SOD-323, Varactors Single 16 V Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRF150P220AKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3, N-Channel 150 V 203A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IGCM04G60HAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRFR18N15D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK, N-Channel 150 V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPD60R650CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: CONSUMER, N-Channel 600 V 9.9A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Подробнее
Артикул: IPP16CN10LGXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3, N-Channel 100 V 54A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее