г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ440N10NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON, N-Channel 100 V 5.3A (Ta), 18A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
174 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ440N10NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSZ440N10NS3G,BSZ440N10NS3 GINTR,BSZ440N10NS3 G-ND,BSZ440N10NS3GATMA1CT,BSZ440N10NS3 GINTR-ND,SP000482442,BSZ440N10NS3GATMA1TR,BSZ440N10NS3 GINDKR-ND,BSZ440N10NS3 GINCT,BSZ440N10NS3GATMA1DKR,BSZ440N10NS3 GINCT-ND,BSZ440N10NS3 G,BSZ440N10NS3 GINDKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
29W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
640 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ440
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT15-05W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE, RF Diode
Подробнее
Артикул: IRLR3303PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK, N-Channel 30 V 35A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRG8P50N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC, IGBT - 1200 V 80 A 350 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPB77N06S2-12
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: SPP11N80C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: SPD09P06PL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3, P-Channel 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее