г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUP213 Infineon Technologies

Артикул
BUP213
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 32A 200W TO220, IGBT - 1200 V 32 A 200 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/BUP213.jpg
Other Names
BUP213IN
Test Condition
600V, 15A, 82Ohm, 15V
Power - Max
200 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
32 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
64 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 15A
Switching Energy
-
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
HTSUS
8541.29.0095
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Td (on/off) @ 25°C
70ns/400ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF150P220AKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3, N-Channel 150 V 203A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFR3103
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK, N-Channel 400 V 1.7A (Ta) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF6648TR1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN, N-Channel 60 V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее
Артикул: IDH06S60CAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRGP4262DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 60A 250W TO247AC, IGBT - 650 V 60 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPP11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее