г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUP213 Infineon Technologies

Артикул
BUP213
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 32A 200W TO220, IGBT - 1200 V 32 A 200 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/BUP213.jpg
Other Names
BUP213IN
Test Condition
600V, 15A, 82Ohm, 15V
Power - Max
200 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
32 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
64 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 15A
Switching Energy
-
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
HTSUS
8541.29.0095
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Td (on/off) @ 25°C
70ns/400ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BUZ73A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3, N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRAMY20UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 20A SIP3, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IGCM10F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IMW120R060M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRFB4310ZGPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFB3507PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB, N-Channel 75 V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее