г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUZ311 Infineon Technologies

Артикул
BUZ311
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
143 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
1
Other Names
2156-BUZ311,INFINFBUZ311
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLML2803TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23, N-Channel 30 V 1.2A (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IDL12G65C5XUMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 12A (DC) Surface Mount PG-VSON-4
Подробнее
Артикул: IRFZ24N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB, N-Channel 55 V 17A (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FP50R12KT4B16BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 280W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 100 A 280 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IDH05G120C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: SKW25N120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 46A 313W TO247-3, IGBT NPT 1200 V 46 A 313 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее