г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DD104N16KHPSA1 Infineon Technologies

Артикул
DD104N16KHPSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE MODULE GP 1600V 104A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600 V 104A Chassis Mount Module
Цена
22 500 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
Image
files/DD104N16KHPSA1.jpg
Base Product Number
DD104N16
Other Names
DD104N16K,DD104N16K-ND,SP000096658,INFINFDD104N16KHPSA1,2156-DD104N16KHPSA1
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1600 V
Diode Configuration
1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
104A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.4 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
20 mA @ 1600 V
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
15
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Operating Temperature - Junction
-40°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR166W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: BSP316PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4, P-Channel 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: SGW20N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: F3L15R12W2H3B27BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 20A 145W, IGBT Module - 3 Independent 1200 V 20 A 145 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFS7530-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK, N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRGSL4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO262, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-262
Подробнее