г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F3L15R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 20A 145W, IGBT Module - 3 Independent 1200 V 20 A 145 W Chassis Mount Module
Цена
11 519 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/F3L15R12W2H3B27BOMA1.jpg
Other Names
F3L15R12W2H3_B27,F3L15R12W2H3_B27-ND,SP001055068,2156-F3L15R12W2H3B27BOMA1,INFINFF3L15R12W2H3B27BOMA1
Configuration
3 Independent
Power - Max
145 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 15A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
F3L15R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
15
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
875 pF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFI530NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP, N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRF6894MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRF6894 - 12V-300V N-CHANNEL POW, N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: AUIRFS8409
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 35A 200W, IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 35 A 200 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSC110N06NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8, N-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее