г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
F475R12KS4B11BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
18 891 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-F475R12KS4B11BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR3110ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSZ0702LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON, N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: IRGBC30S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT STD 600V 34A TO-220AB, IGBT - 600 V 34 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFZ44ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFR4105TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK, N-Channel 55 V 27A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPD60R180P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3, N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее

Ваша заявка принята