г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
F475R12KS4B11BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
18 891 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-F475R12KS4B11BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKD15N60RC2ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKD15N60RC2ATMA1, IGBT Trench Field Stop 600 V 28 A 115.4 W Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: AUIRFS3207Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7493TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO, N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7204
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF9520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB, P-Channel 100 V 6.8A (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AIDK08S65C5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DISCRETE DIODES, Diode
Подробнее