г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF100R12RT4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 100A 555W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module
Цена
11 526 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF100R12RT4HOSA1.jpg
Other Names
FF100R12RT4-ND,SP000624754,FF100R12RT4
Configuration
2 Independent
Power - Max
555 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 100A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
FF100R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
630 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC40U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRLS4030-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IPP60R199CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN,
Подробнее
Артикул: IPP020N08N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BC807-25
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: DD1200S17H4_B2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DD1200S17 - RECTIFIER DIODE MODU, Diode
Подробнее