г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF11MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF11MR12W1M1PB11BPSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET MODULE 1200V DUAL, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tj) 20mW Chassis Mount AG-EASY1B-2
Цена
35 340 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FF11MR12W1M1PB11BPSA1.jpg
Supplier Device Package
AG-EASY1B-2
Power - Max
20mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
248nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7360pF @ 800V
Base Product Number
FF11MR12
Standard Package
30
Other Names
SP005035982,448-FF11MR12W1M1PB11BPSA1
Series
EasyDUAL™
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSD214SNH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: BC807-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BCR142E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRGP4069PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 76A 268W TO247AC, IGBT Trench 600 V 76 A 268 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPA60R180P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220, N-Channel 600 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRF7210TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее