г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF225R12ME4BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 320A 1050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 320 A 1050 W Chassis Mount Module
Цена
25 739 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF225R12ME4BOSA1.jpg
Other Names
SP000405064,FF225R12ME4-ND,FF225R12ME4,2156-FF225R12ME4BOSA1,INFINFFF225R12ME4BOSA1
Configuration
2 Independent
Power - Max
1050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
320 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
3 mA
Base Product Number
FF225R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
EconoDUAL™ 3
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
13 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N7002DWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRF9328PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO, P-Channel 30 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRG4PC20UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W TO247AC, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFR3607TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK, N-Channel 75 V 56A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF5305PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее