г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF225R12ME4BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 320A 1050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 320 A 1050 W Chassis Mount Module
Цена
25 739 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF225R12ME4BOSA1.jpg
Other Names
SP000405064,FF225R12ME4-ND,FF225R12ME4,2156-FF225R12ME4BOSA1,INFINFFF225R12ME4BOSA1
Configuration
2 Independent
Power - Max
1050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
320 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
3 mA
Base Product Number
FF225R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
EconoDUAL™ 3
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
13 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP020N08N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: FZ3600R12HP4HOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 4930A, IGBT Module Trench Single Switch 1200 V 4930 A 19000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCX42E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFS17N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK, N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7756
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: IRF540NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB, N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее