г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF2MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF2MR12KM1PHOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 500A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Цена
61 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FF2MR12KM1PHOSA1.jpg
Supplier Device Package
AG-62MM
Power - Max
-
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.13mOhm @ 500A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.15V @ 224mA
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1340nC @ 15V
Package / Case
Module
Standard Package
8
Series
CoolSiC™
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Base Product Number
FF2MR12
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-FF2MR12KM1PHOSA1,SP005349765
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
39700pF @ 800V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL3102S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK, N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC130P03LS G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IGCM06F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRL3215
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB, N-Channel 150 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLR2908PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK, N-Channel 80 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее