г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF2MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF2MR12KM1PHOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 500A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Цена
61 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FF2MR12KM1PHOSA1.jpg
Supplier Device Package
AG-62MM
Power - Max
-
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.13mOhm @ 500A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.15V @ 224mA
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1340nC @ 15V
Package / Case
Module
Standard Package
8
Series
CoolSiC™
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Base Product Number
FF2MR12
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-FF2MR12KM1PHOSA1,SP005349765
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
39700pF @ 800V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW75N65H5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3, IGBT Trench 650 V 120 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: F475R12KS4B11BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: BCW61C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: IPA60R190P6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IDW30E65D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, 60A, 650V, Diode Standard 650 V 60A Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFHS9351TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.4W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее