г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL3715 Infineon Technologies

Артикул
IRL3715
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB, N-Channel 20 V 54A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL3715.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 10 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRL3715
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 71W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM50GP120BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: SMBTA42E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 300V 500MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 70MHz 360 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSS127H6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BC858BW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IPA60R080P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37A TO220, N-Channel 600 V 37A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRLMS5703TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6, P-Channel 30 V 2.4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее