г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF400R12KE3HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 580A 2000W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 580 A 2000 W Chassis Mount Module
Цена
38 761 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF400R12KE3HOSA1.jpg
Base Product Number
FF400R12
Other Names
FF400R12KE3,FF400R12KE3-ND,SP000100781
Configuration
Half Bridge
Power - Max
2000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
580 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
C
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
28 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3708PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7832Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO, N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: AUIRF7319QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET_(20V,40V),
Подробнее
Артикул: IRGP4263DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 90A 325W TO-247, IGBT - 650 V 90 A 325 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPB20N60C3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3, N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IPW60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3, N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее