г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF600R12ME4BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF600R12ME4BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 4050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 4050 W Chassis Mount Module
Цена
55 571 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF600R12ME4BOSA1.jpg
Base Product Number
FF600R12
Other Names
FF600R12ME4,FF600R12ME4-ND,SP000635448
Configuration
2 Independent
Power - Max
4050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
3 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
37 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB3207PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB, N-Channel 75 V 170A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF5305PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLS3034TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAS1603WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323, Diode Standard 80 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRF7769L2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET, N-Channel 100 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее
Артикул: IRLR7843PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK, N-Channel 30 V 161A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее