г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF600R12ME4CBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF600R12ME4CBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 1060A 4050W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 1060 A 4050 W Chassis Mount Module
Цена
58 920 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF600R12ME4CBOSA1.jpg
Base Product Number
FF600R12
Other Names
FF600R12ME4C-ND,SP001064430,INFINFFF600R12ME4CBOSA1,2156-FF600R12ME4CBOSA1,FF600R12ME4C
Configuration
Half Bridge
Power - Max
4050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1060 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
3 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
37 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFR93AE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 90mA 6GHz 300mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPP65R225C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFP250MPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC, N-Channel 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSP149H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: AUIRFS6535
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK, N-Channel 300 V 19A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPD80N04S3-06
Бренд: Infineon Technologies
Описание: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
Подробнее