г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR3110ZTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
338 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR3110ZTRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3980 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLR3110ZTRPBFTR,IRLR3110ZTRPBFDKR,SP001574010,IRLR3110ZTRPBF-ND,IRLR3110ZTRPBFCT
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRLR3110
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA60R180P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220, N-Channel 600 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: AUIRFR5505
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF640NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF300P226
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC, N-Channel 300 V 100A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR166E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: BSB017N03LX3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON, N-Channel 30 V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее