г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP25R12KE3BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP25R12KE3BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 40A 155W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 40 A 155 W Chassis Mount Module
Цена
12 510 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FP25R12KE3BOSA1.jpg
Base Product Number
FP25R12
Other Names
FP25R12KE3-ND,FP25R12KE3,SP000100411
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
155 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
1.8 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD78CN10NGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF7463
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, N-Channel 30 V 14A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSC070N10NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON, N-Channel 100 V 80A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF9952PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7739L2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET, N-Channel 40 V 46A (Ta), 375A (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее