г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS50R12KE3BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 75A 270W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 75 A 270 W Chassis Mount Module
Цена
17 060 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FS50R12KE3BOSA1.jpg
Base Product Number
FS50R12
Other Names
FS50R12KE3-ND,SP000100413,INFINFFS50R12KE3BOSA1,2156-FS50R12KE3BOSA1,FS50R12KE3
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
270 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Input
Standard
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
3.5 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC30FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4BC30F - 600V FAST 1-8 KHZ DI, IGBT
Подробнее
Артикул: IRF1405S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK, N-Channel 55 V 131A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IKW25T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFP3703
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC, N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSS816NWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3, N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: FF300R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 440A 1450W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 440 A 1450 W Chassis Mount Module
Подробнее