г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FZ1000R33HE3BPSA1 Infineon Technologies

Артикул
FZ1000R33HE3BPSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 3300V 1000A, IGBT Module Trench Field Stop Single Switch 3300 V 1000 A Chassis Mount Module
Цена
111 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FZ1000R33HE3BPSA1.jpg
Base Product Number
FZ1000
Other Names
FZ1000R33HE3,SP001181824
Configuration
Single Switch
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3300 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1000 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
2
HTSUS
8541.29.0095
Series
-
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Input Capacitance (Cies) @ Vce
190 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 625W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 105 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFR1018ETRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BTS112A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFU1205PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK, N-Channel 55 V 44A (Tc) 107W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: FP25R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 39A 175W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 39 A 175 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFP90N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC, N-Channel 200 V 94A (Tc) 580W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее